Equipe da Kioxia recebe prêmio de Ciência e Tecnologia do Ministério da Educação, Cultura, Desporto, Ciência e Tecnologia do Japão

A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que sua equipe de trabalho recebeu o prêmio de Ciência e Tecnologia da Comenda de Ciência e Tecnologia do Ministério da Educação, Cultura, Desporto, Ciência e Tecnologia do Japão por sua invenção de três dispositivo de memória flash tridimensional e método de fabricação do mesmo, o que aumenta muito a capacidade de memória e diminui os custos de produção.

O prêmio anual é concedido pelo Ministério da Educação, Cultura, Desporto, Ciência e Tecnologia do Japão a pessoas que obtiveram realizações notáveis em pesquisa e desenvolvimento e promoveram a compreensão da ciência e tecnologia no país.

Equipe premiada da Kioxia:

Ryota Katsumata, assistente na Gerência Geral do Centro de Desenvolvimento de Memória Avançada – Divisão de Memória
Masaru Kito, gerente de Grupo do Centro de Desenvolvimento de Memória Avançada – Divisão de Memória
Hideaki Aochi, especialista sênior do Centro de Pesquisa e Desenvolvimento de Tecnologia de Dispositivos no Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento de Tecnologia de Memória
Masaru Kido, especialista chefe da Divisão de Estratégia de Desenvolvimento de Memória
Hiroyasu Tanaka, especialista chefe da Divisão de Estratégia de Desenvolvimento de Memória

Descrição geral da tecnologia:

A memória flash é usada em uma série de aplicações para armazenar dados, incluindo em smartphones e data centers, e a demanda deve crescer.

A premiada tecnologia de memória flash tridimensional é uma abordagem inovadora que simplificou muito o processo de fabricação para empilhar células de memória verticalmente a fim de obter memória flash tridimensional de alta densidade. Enquanto o empilhamento convencional exigia processos repetidos de deposição e padronização para a fabricação de matriz de células de memória, esta nova tecnologia primeiro empilha os materiais para as células de memória e depois fabrica cada célula simultaneamente usando um processo de padronização único, o que reduz significativamente as etapas de processamento. Como a tecnologia de miniaturização empregada na memória flash bidimensional convencional está se aproximando de seus limites físicos, a tecnologia de memória flash tridimensional de alta capacidade e alto desempenho já é cada vez mais aplicada nos principais produtos do mercado. Depois de comercializar a memória flash tridimensional BiCS FLASH™ em 2015, a Kioxia tem trabalhado para aumentar a densidade de empilhamento. No mês passado, a empresa anunciou sua memória flash tridimensional BiCS FLASH™ de 218 camadas com alta capacidade e alto desempenho.

Esta tecnologia de memória flash tridimensional também foi reconhecida com o Imperial Invention Prize da 2020 National Commendation for Invention e recebeu o 2021 IEEE Andrew S. Grove Award.

Guiada por sua missão de “melhorar o mundo com sua memória”, a Kioxia está comprometida com sua pesquisa e desenvolvimento de tecnologia que agrega valor às pessoas no mundo todo.

Sobre a Kioxia

A Kioxia é líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSD). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrado da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em melhorar o mundo com suas memórias, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado na memória para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, chamada BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicativos de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, SSD, indústria automotiva e data centers.

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